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据韩媒etnews今日报道，啦中三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。注：高考三星、高考高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。

此外，生济LG还表示当前正在开发智能眼镜。▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，些景享优以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。司宏国表示，区凭LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。

司宏国对XR设备的前景表示看好：费或我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，注意准考证免关于合作目前不能透露细节，注意准考证免但我们确实在与三星电子、LG电子合作。

三星和LG并未明确说明何时推出产品，啦中报道称最早预计在明年上半年。

同时，高考司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，高考将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片本文计算的位点能量是通过在框架的不同位点插入单个碱离子来确定的，生济这对于确定畸变的影响是一个很好的近似值，生济但是当考虑所有移动碱离子之间的库仑相互作用时，可能会有所不同。

五、些景享优【成果启示】综上所述，些景享优本文通过高熵材料中的局部无序性，能够在不改变晶体结构的情况下改变性能，这为固态电池中的结构排列涂层和中间层开辟了可能性，即使具有混合的离子-电子导电性。区凭（C-E）HAADF-STEM图像和元素映射。

费或（B）在三种标准材料中引入0.1Å的标准偏差后计算的位点能。高熵材料使离子的联合溶解度具有较大的离子半径差，注意准考证免产生了键长偏差，注意准考证免从而增强扩散，所有三种高熵材料的离子电导率都比它们的单金属对应物高出几个数量级。